MSCSM120HM31CTBL2NG

Microchip Technology
579-SM120HM31CTBL2NG
MSCSM120HM31CTBL2NG

Fab. :

Description :
Modules à semi-conducteurs discrets PM-MOSFET-SIC-SBD-BL2

Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
Non stocké
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20 Semaines Délai de production estimé en usine.
Minimum : 3   Multiples : 3
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Microchip
Catégorie du produit: Modules à semi-conducteurs discrets
RoHS:  
MOSFET-SiC SBD Modules
Full Bridge
SiC
1.5 V
1.2 kV
- 10 V, + 25 V
Screw Mount
- 55 C
+ 175 C
Marque: Microchip Technology
Configuration: Full Bridge
Temps de descente: 25 ns
Id - Courant continu de fuite: 79 A
Pd - Dissipation d’énergie : 310 W
Type de produit: Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Résistance drain-source: 31 mOhms
Temps de montée: 30 ns
Nombre de pièces de l'usine: 1
Sous-catégorie: Discrete Semiconductor Modules
Polarité du transistor: N-Channel
Délai de désactivation type: 50 ns
Délai d'activation standard: 30 ns
Vds - Tension de rupture drain-source: 1.2 kV
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 1.8 V
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Modules d'alimentation MOSFET MSCSM120x

Les modules d'alimentation MOSFET MSCSM120x de Microchip Technology sont des convertisseurs à haut rendement dotés d'un substrat Si3n4 avec cuivre épais pour de meilleures performances thermiques. Ces modules offrent un profil mince, un montage direct sur le dissipateur thermique (boîtier isolé), une thermistance interne pour la surveillance de la température et une plage de température étendue. Les modules MSCSM120x fonctionnent à une tension inverse de 1,2 kV (VR), une plage de tension grille-source (VGS) de -10 V à 25 V, une dissipation d'alimentation (pd) de 310 W/560 W et un courant de drain continu (Id) de 79 A/150 A. Ces modules sont utilisés dans des applications telles que les systèmes d'alimentation à haute fiabilité, les convertisseurs CA/CC et CC/CA à haut rendement, la commande de moteur et les commutateurs CA.