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MUN5213DW1T3G

Name: onsemi MUN5213DW1T3G
Brand: onsemi
SKU: 863-MUN5213DW1T3G
Price: 0.2 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-MUN5213DW1T3G

N° de fab. :

MUN5213DW1T3G

Fab. :

onsemi

Description :

Transistors numériques SS SC88 BR XSTR XSTR NPN 50V

Fiche technique:

MUN5213DW1T3G Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 10000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,206 €	0,21 €
	0,127 €	1,27 €
	0,08 €	8,00 €
	0,058 €	29,00 €
	0,046 €	46,00 €
	0,04 €	200,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 10000)
	0,035 €	350,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

MUN5213DW1T1G

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

0,21 €

Min.:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Transistors numériques
RoHS:
Polarité du transistor:	NPN
Résistance d'entrée type:	47 kOhms
Taux de résistance type:	1
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-363-6
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	80
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	50 V
Pd - Dissipation d’énergie :	187 mW, 256 mW
Série:	MUN5213DW1
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Type de produit:	Digital Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	10000
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	6 mg

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Fiche technique

MUN5213DW1T3G Fiche technique

PCN

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Transistors numériques bipolaires NPN doubles

Les doubles transistors numériques bipolaires NPN onsemi sont conçus pour remplacer un seul dispositif et le réseau externe supplémentaire de polarisation de résistance. Le transistor de résistance de polarisation (BRT) contient un seul transistor à réseau de polarisation monolithique constitué de deux résistances (une résistance de base en série et une résistance base-émetteur). En intégrant ces composants individuels en un seul dispositif, le BRT de ces transistors numériques bipolaires NPN onsemi simplifie la conception de circuits et les élimine. Une BRT réduit également le coût de système et l’espace sur carte.