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NTBGS4D1N15MC

Name: onsemi NTBGS4D1N15MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBGS4D1N15MC
Price: 4.63 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTBGS4D1N15MC

N° de fab. :

NTBGS4D1N15MC

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR INDUSTRIAL

Fiche technique:

NTBGS4D1N15MC Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 800)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	4,63 €	4,63 €
	3,27 €	32,70 €
	2,82 €	282,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 800)
	2,73 €	2 184,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	150 V
Id - Courant continu de fuite:	185 A
Rds On - Résistance drain-source:	4.1 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	88.9 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	316 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	10 ns
Transconductance directe - min.:	10.9 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	38 ns
Série:	NTBGS4D1N15MC
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	64 ns
Délai d'activation standard:	49 ns
Poids de l''unité:	4,675 g

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Fiche technique

NTBGS4D1N15MC Fiche technique

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET à canal N NTBGSxDxN15MC et NVBGSxDxN15MC

Les MOSFET NTBGSxDxN15MC et NVBGSxDxN15MC à canal N onsemi affichent une tension drain-source (V_{(BR) DSS}) de 150 V et produisent de faibles bruits de commutation/EMI. Ces dispositifs offrent une Q_G et une capacité faibles pour minimiser les pertes pilote et une faible R_DS(on) pour minimiser les pertes de conduction. Les MOSFET NTBGSxDxN15MC et NVBGSxDxN15MC sont disponibles en boîtier D²PAK7, sans Pb, sans halogène/sans RFB, et conforme à la directive RoHS. Les applications typiques comprennent les outils électriques, les aspirateurs alimentés par batterie, les véhicules aériens sans pilote(UAV)/drones, la manipulation des matériaux, les systèmes de gestion de batterie (BMS)/stockage, la domotique, les chariots élévateurs industriels et les systèmes de contrôle de traction.

Entraînement de moteurs industriels

Les entraînements de moteurs industriels d'onsemi sont conçus pour une durabilité globale, fournissant des technologies efficaces et renouvelables et une alimentation intelligente. Selon l’analyse du marché des systèmes moteurs de 2020 (MSMA) publiée par le département de l’Énergie des États-Unis (DOE), les pompes et moteurs industriels consomment presque 15 % de la totalité de la capacité électrique américaine chaque année. L’analyse du marché des systèmes moteurs de 2020 estime également que 32,3 millions de tonnes métriques d'émissions de CO2 peuvent être économisées chaque année grâce à l’utilisation de VFD. Onsemi fabrique une large gamme de composants de semi-conducteurs VFD, y compris des commandes de grilles, des MOSFET, des IGBT et des EliteSiC.