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NTMFS0D6N03CT1G

Name: onsemi NTMFS0D6N03CT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS0D6N03CT1G
Price: 2.46 EUR
Availability: InStock

N° Mouser :

863-NTMFS0D6N03CT1G

N° de fab. :

NTMFS0D6N03CT1G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET LFPAK WIDE SOA AND SO8FL EXPANSION

Fiche technique:

NTMFS0D6N03CT1G Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	2,46 €	2,46 €
	1,60 €	16,00 €
	1,10 €	110,00 €
	0,912 €	456,00 €
	0,869 €	869,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	0,783 €	1 174,50 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SO-8FL
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	433 A
Rds On - Résistance drain-source:	620 uOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.2 V
Qg - Charge de grille:	65 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	200 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Type de produit:	MOSFETs
Série:	NTMFS0D6N03C
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors

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Fiche technique

NTMFS0D6N03CT1G Fiche technique

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance à canal unique N

Les MOSFET de puissance à canal unique N d'onsemi sont des MOSFET compacts et de faible encombrement avec un faible R_DS(on) et une faible capacité. La faible valeur R_DS(on) aide à minimiser les pertes de conduction, et la faible capacité minimise les pertes du pilote. Ces MOSFET de puissance à canal unique N sont sans Pb et conformes à la directive RoHS. Leur plage de température de fonctionnement s'étend de -55 °C à +175 °C.

MOSFET MV à canal N Trench6

Les MOSFET MV à canal N Trench6 onsemi sont des MOSFET de 30 V, 40 V et 60 V fabriqués selon le procédé innovant Power Trench qui utilise la technologie de grille blindée. Ce procédé a été optimisé pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation excellentes avec la meilleure diode de corps à recouvrement progressif du marché.