Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

NTMFS3D5N08XT1G

Name: onsemi NTMFS3D5N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS3D5N08XT1G
Price: 1.66 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-NTMFS3D5N08XT1G

N° de fab. :

NTMFS3D5N08XT1G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

Fiche technique:

NTMFS3D5N08XT1G Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de onsemi NTMFS3D5N08XT1G

En stock: 5 687

Stock:: 5 687

Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Sur commande:: 3 000

03/04/2026 attendu
Délai usine :: 24

Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,66 €	1,66 €
	1,17 €	11,70 €
	0,815 €	81,50 €
	0,65 €	325,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	0,569 €	853,50 €
	0,529 €	1 587,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-5
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	135 A
Rds On - Résistance drain-source:	3 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.6 V
Qg - Charge de grille:	23 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	119 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	5 ns
Transconductance directe - min.:	97 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	7 ns
Série:	NTMFS3D5N08X
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	32 ns
Délai d'activation standard:	23 ns

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

NTMFS3D5N08XT1G Fiche technique

PCN

Product Change Notification 2025-2-27 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance 40 V

Les MOSFET de puissance 40 V d'onsemi intègrent une technologie de grille standard et offrent la meilleure résistance à l’état passant de leur catégorie. Les MOSFET onsemi sont conçus pour les applications de commande moteur. Ces composants minimisent efficacement les pertes de conduction et de pilotage avec une résistance en marche plus faible et une charge de grille réduite. De plus, les MOSFET fournissent un excellent contrôle de la douceur pour la récupération inverse de la diode du corps, atténuant efficacement la tension de crête sans nécessiter de circuit limiteur supplémentaire dans les applications.

Technologie PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.