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NTMFS5H409NLT1G

Name: onsemi NTMFS5H409NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS5H409NLT1G
Price: 1.8 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-NTMFS5H409NLT1G

N° de fab. :

NTMFS5H409NLT1G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET T8 40V LOW COSS

Fiche technique:

NTMFS5H409NLT1G Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,80 €	1,80 €
	1,23 €	12,30 €
	1,04 €	104,00 €
	1,01 €	505,00 €
	0,98 €	980,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	0,98 €	1 470,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

NTMFS5H409NLT3G

Conditionnement:

Reel, Cut Tape

Disponibilité:

En stock

Prix:

1,82 €

Min.:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SO-8FL-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	270 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.6 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.2 V
Qg - Charge de grille:	89 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	140 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	14 ns
Transconductance directe - min.:	300 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	130 ns
Série:	NTMFS5H
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	40 ns
Délai d'activation standard:	17 ns
Poids de l''unité:	750 mg

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Fiche technique

NTMFS5H409NLT1G Fiche technique (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NTMFS5 Power MOSFETs

onsemi NTMFS5 Power MOSFETs are 40V single N−channel Power MOSFETs featuring the SO-8FL logic level. The NTMFS5's low on-resistance minimizes conduction losses. The MOSFET's low gate charge and capacitance reduce driver losses. Available in a compact 5x6mm footprint, the NTMFS5 Power MOSFETs are ideal for Netcom, telecom, servers, AC adapters, and handheld power tools.

MOSFET Trench8

Les MOSFET Trench8 d'Onsemi se caractérisent par une faible résistance maximale à l'état passant (R_DS(ON), une charge de grille (Q_g) ultra-faible et une faible (Q_g) x R_DS(ON), un facteur de mérite (FOM) essentiel pour les MOSFET utilisés dans les applications de conversion d'énergie. Dotés de performances de commutation optimisées basées sur la technologie T6, les MOSFET Trench8 offrent une réduction de 35 % à 40 % des Q_g et Q_oss de la série Trench6. Les MOSFET Trench8 onsemi sont disponibles dans une large gamme de boîtier pour une flexibilité de conception. Des options certifiées AEC-Q101 et compatibles PPAP sont disponibles pour les applications automobiles. Bon nombre de ces dispositifs sont proposés en boîtiers à flanc mouillable permettant une inspection optique automatisée (AOI).