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NTMTS4D3N15MC

Name: onsemi NTMTS4D3N15MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMTS4D3N15MC
Price: 6.51 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTMTS4D3N15MC

N° de fab. :

NTMTS4D3N15MC

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR INDUSTRIAL

Fiche technique:

NTMTS4D3N15MC Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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-,-- €

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	6,51 €	6,51 €
	4,27 €	42,70 €
	3,64 €	364,00 €
	3,59 €	1 795,00 €
	3,36 €	3 360,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	3,12 €	9 360,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	150 V
Id - Courant continu de fuite:	174 A
Rds On - Résistance drain-source:	4.45 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	79 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	293 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	8 ns
Transconductance directe - min.:	177 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	11 ns
Série:	NTMTS4D3N15MC
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	48 ns
Délai d'activation standard:	38 ns

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Fiche technique

NTMTS4D3N15MC Fiche technique

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Entraînement de moteurs industriels

Les entraînements de moteurs industriels d'onsemi sont conçus pour une durabilité globale, fournissant des technologies efficaces et renouvelables et une alimentation intelligente. Selon l’analyse du marché des systèmes moteurs de 2020 (MSMA) publiée par le département de l’Énergie des États-Unis (DOE), les pompes et moteurs industriels consomment presque 15 % de la totalité de la capacité électrique américaine chaque année. L’analyse du marché des systèmes moteurs de 2020 estime également que 32,3 millions de tonnes métriques d'émissions de CO2 peuvent être économisées chaque année grâce à l’utilisation de VFD. Onsemi fabrique une large gamme de composants de semi-conducteurs VFD, y compris des commandes de grilles, des MOSFET, des IGBT et des EliteSiC.

MOSFET de puissance à canal unique N

Les MOSFET de puissance à canal unique N d'onsemi sont des MOSFET compacts et de faible encombrement avec un faible R_DS(on) et une faible capacité. La faible valeur R_DS(on) aide à minimiser les pertes de conduction, et la faible capacité minimise les pertes du pilote. Ces MOSFET de puissance à canal unique N sont sans Pb et conformes à la directive RoHS. Leur plage de température de fonctionnement s'étend de -55 °C à +175 °C.