NTMYS2D4N04CTWG

onsemi
863-NTMYS2D4N04CTWG
NTMYS2D4N04CTWG

Fab. :

Description :
MOSFET 40V 140A 2.3Ohm Single N-Channel

Modèle de ECAO:
Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

En stock: 2 935

Stock:
2 935 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
34 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Long délai signalé sur ce produit.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
2,67 € 2,67 €
1,74 € 17,40 €
1,20 € 120,00 €
1,01 € 505,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
0,567 € 1 701,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
LFPAK-4
N-Channel
1 Channel
40 V
138 A
2.3 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
32 nC
- 55 C
+ 175 C
83 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: onsemi
Configuration: Single
Temps de descente: 18 ns
Transconductance directe - min.: 92 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 50 ns
Série: NTMYS2D4N04C
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 23 ns
Délai d'activation standard: 11 ns
Poids de l''unité: 75 mg
Produits trouvés:
Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.
Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.
Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

MOSFET MV à canal N Trench6

Les MOSFET MV à canal N Trench6 onsemi sont des MOSFET de 30 V, 40 V et 60 V fabriqués selon le procédé innovant Power Trench qui utilise la technologie de grille blindée. Ce procédé a été optimisé pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation excellentes avec la meilleure diode de corps à recouvrement progressif du marché.

LFPAK4 Industrial N-Channel Power MOSFETs

onsemi LFPAK4 Industrial N-channel Power MOSFETs are single MOSFETs with a small 5mm x 6mm footprint, ideal for compact designs. These devices feature a low drain-to-source on-resistance to minimize conduction losses and low gate charge and capacitance to minimize driver losses. These industrial-grade power MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and feature a wide, -55°C to +175°C operating temperature range.