NTTFSSCH0D7N02X

onsemi
863-NTTFSSCH0D7N02X
NTTFSSCH0D7N02X

Fab. :

Description :
MOSFET T10 25V PC33 SOURCE DOWN DUAL COOL GEN 2

Cycle de vie:
Nouveau produit:
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En stock: 1 908

Stock:
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Délai usine :
26 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
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Tarif est.:

Prix (EUR)

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Ext. Prix
2,21 € 2,21 €
1,43 € 14,30 €
1,02 € 102,00 €
0,851 € 425,50 €
0,81 € 810,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)
0,688 € 3 440,00 €
0,671 € 6 710,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
WDFN-9
N-Channel
1 Channel
25 V
310 A
580 uOhms
- 12 V, 16 V
2 V
33 nC
- 55 C
+ 150 C
87 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marque: onsemi
Configuration: Single
Temps de descente: 57 ns
Transconductance directe - min.: 190 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 6 ns
Série: NTTFSSCH0D7N02X
Nombre de pièces de l'usine: 5000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 26 ns
Délai d'activation standard: 4 ns
Produits trouvés:
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET de puissance monocanal N

Les MOSFET de puissance monocanal N onsemi sont conçus pour des conceptions compactes et efficaces avec un encombrement réduit. Ces MOSFET de puissance disposent d’une basse RDS(ON), d’une QG et d’une capacité faibles, qui réduisent au minimum les pertes en conduction et du pilote. Ces MOSFET sont disponibles en tensions drain-source de 40, 60 et 80 V et en tension grille-source ±20 V. Les MOSFET de puissance monocanal N onsemi sont sans plomb et conformes à la directive RoHS.