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NVMFS6H818NLT1G

Name: onsemi NVMFS6H818NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS6H818NLT1G
Price: 4.59 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NVMFS6H818NLT1G

N° de fab. :

NVMFS6H818NLT1G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET T8 80V LL SO8FL

Fiche technique:

NVMFS6H818NLT1G Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	4,59 €	4,59 €
	3,06 €	30,60 €
	2,19 €	219,00 €
	2,11 €	1 055,00 €
	1,79 €	1 790,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	1,79 €	2 685,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SO-8FL-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	135 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.2 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	64 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	140 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Type de produit:	MOSFETs
Série:	NVMFS6H818NL
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors

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Fiche technique

NVMFS6H818NLT1G Fiche technique

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NVMFS6H8x Power MOSFETs

onsemi NVMFS6H8x Power MOSFETs offer 80V, single N-channel, and a small footprint for a compact design. These power MOSFETs are available in 2.1mΩ, 2.8mΩ, 3.7mΩ, and 3.2mΩ R_DS(on)resistance ranges. Features include low R_DS(on) to minimize conduction losses, low Q_G, and low capacitance. The NVMFS6H8x power MOSFETs are RoHS compliant, PPAP capable, and AEC-Q101 qualified. These power MOSFETs operate at -55°C to 175°C operating temperature range.

MOSFET Trench8

Les MOSFET Trench8 d'Onsemi se caractérisent par une faible résistance maximale à l'état passant (R_DS(ON), une charge de grille (Q_g) ultra-faible et une faible (Q_g) x R_DS(ON), un facteur de mérite (FOM) essentiel pour les MOSFET utilisés dans les applications de conversion d'énergie. Dotés de performances de commutation optimisées basées sur la technologie T6, les MOSFET Trench8 offrent une réduction de 35 % à 40 % des Q_g et Q_oss de la série Trench6. Les MOSFET Trench8 onsemi sont disponibles dans une large gamme de boîtier pour une flexibilité de conception. Des options certifiées AEC-Q101 et compatibles PPAP sont disponibles pour les applications automobiles. Bon nombre de ces dispositifs sont proposés en boîtiers à flanc mouillable permettant une inspection optique automatisée (AOI).