PMDXB550UNEZ

Nexperia
771-PMDXB550UNEZ
PMDXB550UNEZ

Fab. :

Description :
MOSFET SOT1216 2NCH 30V .59A

Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
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Prix unitaire:
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Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
0,456 € 0,46 €
0,277 € 2,77 €
0,177 € 17,70 €
0,132 € 66,00 €
0,108 € 108,00 €
0,107 € 267,50 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)
0,093 € 465,00 €
0,082 € 820,00 €
0,081 € 2 025,00 €
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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Nexperia
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-1010-6
N-Channel
2 Channel
30 V
590 mA
670 mOhms
- 8 V, 8 V
450 mV
1.05 nC
- 55 C
+ 150 C
4.03 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Nexperia
Configuration: Dual
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: MY
Temps de descente: 3 ns
Transconductance directe - min.: 600 mS
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 7 ns
Nombre de pièces de l'usine: 5000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 2 N-Channel
Délai de désactivation type: 12 ns
Délai d'activation standard: 4 ns
Raccourcis pour l'article N°: 934069326147
Poids de l''unité: 1,290 mg
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

PMDXBx 20V Trench MOSFETs

Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs consist of enhancement mode field-effect transistors (FET) in leadless, ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The devices employ Trench MOSFET technology, have an exposed drain pad for excellent thermal conduction, provide >1kV HBM ESD protection, and offer 470mΩ drain-source on-state resistance. The PMDXBx MOSFETs are available in dual N- and P-channel versions. The Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs are ideal for relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.

PMDXB550UNE Dual N-Channel MOSFET

Nexperia PMDXB550UNE Dual N-Channel MOSFET is a surface mount device that offers a low threshold voltage. This 30V enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) features exposed drain pad for an excellent thermal conduction and ESD protection. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, low-side load switch, and switching circuits. The PMDXB550UNE MOSFET is designed using Trench MOSFET technology and is available in a leadless ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) plastic package.