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PMDXB600UNELZ

Name: Nexperia PMDXB600UNELZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMDXB600UNELZ
Price: 0.3 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

771-PMDXB600UNELZ

N° de fab. :

PMDXB600UNELZ

Fab. :

Nexperia

Description :

MOSFET SOT1216 2NCH 20V .6A

Fiche technique:

PMDXB600UNELZ Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,301 €	0,30 €
	0,182 €	1,82 €
	0,114 €	11,40 €
	0,085 €	42,50 €
	0,067 €	67,00 €
	0,065 €	162,50 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)
	0,055 €	275,00 €
	0,05 €	500,00 €
	0,046 €	1 150,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-1010-6
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	600 mA
Rds On - Résistance drain-source:	470 mOhms, 470 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	450 mV
Qg - Charge de grille:	700 pC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	380 mW
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Nexperia
Configuration:	Dual
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	MY
Temps de descente:	51 ns, 51 ns
Transconductance directe - min.:	1 S, 1 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	9.2 ns, 9.2 ns
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Délai de désactivation type:	19 ns, 19 ns
Délai d'activation standard:	5.6 ns, 5.6 ns
Raccourcis pour l'article N°:	934070432147
Poids de l''unité:	1,217 mg

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ECCN:: EAR99

PMDXBx 20V Trench MOSFETs

Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs consist of enhancement mode field-effect transistors (FET) in leadless, ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The devices employ Trench MOSFET technology, have an exposed drain pad for excellent thermal conduction, provide >1kV HBM ESD protection, and offer 470mΩ drain-source on-state resistance. The PMDXBx MOSFETs are available in dual N- and P-channel versions. The Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs are ideal for relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.

PMDXB600UNEL 20V Dual N-Channel Trench MOSFET

Nexperia PMDXB600UNEL 20V Dual N-Channel Trench MOSFET is an enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) housed in a leadless ultrasmall surface-mounted plastic package. The PMDXB600UNEL features a low leakage current, and an exposed drain pad for excellent thermal conduction. Typical applications include relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.