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PMDXB600UNEZ

Name: Nexperia PMDXB600UNEZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMDXB600UNEZ
Price: 0.38 EUR
Availability: OutOfStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

771-PMDXB600UNEZ

N° de fab. :

PMDXB600UNEZ

Fab. :

Nexperia

Description :

MOSFET PMDXB600UNE/SOT1216/DFN1010B-6

Fiche technique:

PMDXB600UNEZ Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,387 €	0,39 €
	0,202 €	2,02 €
	0,135 €	13,50 €
	0,077 €	38,50 €
	0,06 €	60,00 €
	0,058 €	145,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)
	0,05 €	250,00 €
	0,044 €	440,00 €
	0,04 €	1 000,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-1010-6
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	600 mA
Rds On - Résistance drain-source:	3 Ohms, 3 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	450 mV
Qg - Charge de grille:	400 pC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	380 mW
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Nexperia
Configuration:	Dual
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	51 ns
Transconductance directe - min.:	1 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	9.2 ns
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Délai de désactivation type:	19 ns
Délai d'activation standard:	5.6 ns
Raccourcis pour l'article N°:	934067655147
Poids de l''unité:	1,200 mg

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ECCN:: EAR99

PMDXBx 20V Trench MOSFETs

Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs consist of enhancement mode field-effect transistors (FET) in leadless, ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The devices employ Trench MOSFET technology, have an exposed drain pad for excellent thermal conduction, provide >1kV HBM ESD protection, and offer 470mΩ drain-source on-state resistance. The PMDXBx MOSFETs are available in dual N- and P-channel versions. The Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs are ideal for relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.