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PMDXB950UPELZ

Name: Nexperia PMDXB950UPELZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMDXB950UPELZ
Price: 0.44 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

771-PMDXB950UPELZ

N° de fab. :

PMDXB950UPELZ

Fab. :

Nexperia

Description :

MOSFET PMDXB950UPEL/SOT1216/DFN1010B-

Fiche technique:

PMDXB950UPELZ Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,447 €	0,45 €
	0,277 €	2,77 €
	0,181 €	18,10 €
	0,132 €	66,00 €
	0,111 €	111,00 €
	0,107 €	267,50 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)
	0,093 €	465,00 €
	0,084 €	840,00 €
	0,081 €	2 025,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-1010-6
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	500 mA
Rds On - Résistance drain-source:	5 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	950 mV
Qg - Charge de grille:	2.1 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	380 mW
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Nexperia
Configuration:	Dual
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Type de produit:	MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Raccourcis pour l'article N°:	934070431147
Poids de l''unité:	1,200 mg

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KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

PMDXBx 20V Trench MOSFETs

Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs consist of enhancement mode field-effect transistors (FET) in leadless, ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The devices employ Trench MOSFET technology, have an exposed drain pad for excellent thermal conduction, provide >1kV HBM ESD protection, and offer 470mΩ drain-source on-state resistance. The PMDXBx MOSFETs are available in dual N- and P-channel versions. The Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs are ideal for relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.