PMPB07R3ENX

Nexperia
771-PMPB07R3ENX
PMPB07R3ENX

Fab. :

Description :
MOSFET SOT1220 N-CH 30V 12A

Modèle de ECAO:
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En stock: 5 009

Stock:
5 009 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
8 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
0,903 € 0,90 €
0,562 € 5,62 €
0,412 € 20,60 €
0,363 € 36,30 €
0,27 € 270,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
0,215 € 645,00 €
0,198 € 1 188,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:
Conditionnement:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilité:
En stock
Prix:
0,72 €
Min.:
1

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Nexperia
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT1220-2-6
N-Channel
1 Channel
30 V
17 A
8.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
19 nC
- 55 C
+ 150 C
12.5 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Nexperia
Configuration: Single
Temps de descente: 3 ns
Transconductance directe - min.: 2.8 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 2 ns
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 13 ns
Délai d'activation standard: 3 ns
Raccourcis pour l'article N°: 934662428115
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

MOSFET à signal faible (SSMOS) pour portables

Les MOSFET à signal faible (SSMOS) de Nexperia pour portables offrent des boîtiers WLCSP et DFN sans fil pour les applications mobiles et portables. Les boîtiers SSMOS de Nexperia fournissent une solution DFN extrêmement réduite dans la taille de pas couramment utilisée aujourd’hui du 0,35 mm. Une solution de remplacement idéale où l’espace est primordial, ces boîtiers ultra-compacts offrent un rendement d’espace significatif tout en fournissant un effort minimal sur le réglage de l’assemblage. Disponibles en canal N et canal P, tous les composants sont équipés d’une protection ESD de > 2 kV et d’une capacité de haute puissance de > 1300mW.