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PMX100UNZ

Name: Nexperia PMX100UNZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMX100UNZ
Price: 0.49 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

771-PMX100UNZ

N° de fab. :

PMX100UNZ

Fab. :

Nexperia

Description :

MOSFET SOT8013 N-CH 20V 1.3A

Fiche technique:

PMX100UNZ Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 15000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,49 €	0,49 €
	0,30 €	3,00 €
	0,237 €	11,85 €
	0,189 €	18,90 €
	0,187 €	187,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 15000)
	0,187 €	2 805,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-0603-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	1.3 A
Rds On - Résistance drain-source:	210 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	900 mV
Qg - Charge de grille:	1.5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	500 mW
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Nexperia
Configuration:	Single
Temps de descente:	1 ns
Transconductance directe - min.:	2.5 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	2 ns
Nombre de pièces de l'usine:	15000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	4 ns
Délai d'activation standard:	1 ns
Raccourcis pour l'article N°:	934662405317

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Attributs sélectionnés: 0

                        
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Fiche technique

PMX100UNZ Fiche technique (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
ECCN:: EAR99

MOSFET à signal faible (SSMOS) pour portables

Les MOSFET à signal faible (SSMOS) de Nexperia pour portables offrent des boîtiers WLCSP et DFN sans fil pour les applications mobiles et portables. Les boîtiers SSMOS de Nexperia fournissent une solution DFN extrêmement réduite dans la taille de pas couramment utilisée aujourd’hui du 0,35 mm. Une solution de remplacement idéale où l’espace est primordial, ces boîtiers ultra-compacts offrent un rendement d’espace significatif tout en fournissant un effort minimal sur le réglage de l’assemblage. Disponibles en canal N et canal P, tous les composants sont équipés d’une protection ESD de > 2 kV et d’une capacité de haute puissance de > 1300mW.