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PSMN1R7-30YL,115

Name: Nexperia PSMN1R7-30YL,115
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN1R7-30YL-T/R
Price: 2.09 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

771-PSMN1R7-30YL-T/R

N° de fab. :

PSMN1R7-30YL,115

Fab. :

Nexperia

Description :

MOSFET PSMN1R7-30YL/SOT669/LFPAK

Fiche technique:

PSMN1R7-30YL,115 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,09 €	2,09 €
	1,35 €	13,50 €
	1,18 €	59,00 €
	0,92 €	92,00 €
	0,734 €	367,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	0,645 €	967,50 €
	0,601 €	1 803,00 €
	0,589 €	2 650,50 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-669-5
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	100 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.7 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.15 V
Qg - Charge de grille:	77.9 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	109 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Nexperia
Type de produit:	MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Raccourcis pour l'article N°:	934063068115
Poids de l''unité:	91,420 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

PSMN N-Channel MOSFETs

Nexperia PSMN N-Channel MOSFETs include standard and logic level, regular and enhancement mode, N-Channel MOSFETs in LFPAK, LFPAK88, I²PAK, TO-220, and DFN3333-8 packages qualified to 150°C or 175°C. These Nexperia PSMN N-Channel MOSFETs are designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment.

PSMN MOSFETs in LFPAK Package

Nexperia PSMN MOSFETs in LFPAK Package are logic level N-channel devices in an LFPAK package qualified to 150°C. These MOSFETs are designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment. The PSMN MOSFETs in LFPAK feature advanced TrenchMOS architecture for low R_DSon and low gate charge. These PSMN MOSFETs in LFPAK also provide high-efficiency gains in switching power converters.