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QH8JE5TCR

Name: ROHM Semiconductor QH8JE5TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-QH8JE5TCR
Price: 1.17 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-QH8JE5TCR

N° de fab. :

QH8JE5TCR

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET 100V Dual Pch+Pch, TSMT8, Power MOSFET

Fiche technique:

QH8JE5TCR Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,17 €	1,17 €
	0,738 €	7,38 €
	0,467 €	46,70 €
	0,382 €	191,00 €
	0,347 €	347,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,303 €	909,00 €
	0,281 €	1 686,00 €
	0,276 €	2 484,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TSMT-8
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	2 A
Rds On - Résistance drain-source:	270 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	19.7 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.5 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Dual
Temps de descente:	48 ns
Transconductance directe - min.:	3.2 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	7 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 P-Channel
Délai de désactivation type:	105 ns
Délai d'activation standard:	7.3 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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