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QH8ME5TCR

Name: ROHM Semiconductor QH8ME5TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-QH8ME5TCR
Price: 1.03 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-QH8ME5TCR

N° de fab. :

QH8ME5TCR

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET 100V 2A, Dual Nch+Pch, TSMT8, Power MOSFET

Fiche technique:

QH8ME5TCR Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,03 €	1,03 €
	0,648 €	6,48 €
	0,409 €	40,90 €
	0,331 €	165,50 €
	0,301 €	301,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,261 €	783,00 €
	0,242 €	1 452,00 €
	0,231 €	2 079,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TSMT-8
Polarité du transistor:	N-Channel, P-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	2 A
Rds On - Résistance drain-source:	202 mOhms, 270 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	2.8 nC, 19.7 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.5 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Dual
Temps de descente:	5 ns, 48 ns
Transconductance directe - min.:	1.3 S, 3.2 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	6 ns, 7 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Délai de désactivation type:	15 ns, 105 ns
Délai d'activation standard:	6 ns, 7.3 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET à petit signal canal N+canal P doubles QH8K

Les MOSFET à signal faible Nch+Nch double QH8K de ROHM Semiconductor prennent en charge les tensions de tenue 40 V, 60 V ou 100 V. Cette série est conçue pour les équipements d’entrée 24 V tels que les équipements d’automatisation d’usine et les moteurs montés sur les stations de base (ventilateurs de refroidissement). Les composants QH8K sont constitués d’un MOSFET Nch à faible résistance à l’état passant, qui est réduit de 58 % par rapport aux produits ROHM conventionnels. Cela entraîne une faible consommation d’énergie des composants. Ces MOSFET sont fournis dans un petit boîtier TSMT8 à montage en surface avec huit bornes et un placage sans plomb. Les MOSFET à signal faible Nch+Nch double QH8K de ROHM Semiconductor sont idéaux pour les applications de commutation et d’entraînement de moteur.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.