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R8002CND3FRATL

Name: ROHM Semiconductor R8002CND3FRATL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R8002CND3FRATL
Price: 2.64 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-R8002CND3FRATL

N° de fab. :

R8002CND3FRATL

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET TO252 800V 2A N-CH

Fiche technique:

R8002CND3FRATL Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,64 €	2,64 €
	1,78 €	17,80 €
	1,43 €	143,00 €
	1,24 €	620,00 €
	1,15 €	1 150,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	1,14 €	2 850,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-252-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	800 V
Id - Courant continu de fuite:	2 A
Rds On - Résistance drain-source:	4.3 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5.5 V
Qg - Charge de grille:	12.1 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	69 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	67 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	22 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	35 ns
Délai d'activation standard:	19 ns
Raccourcis pour l'article N°:	R8002CND3FRA
Poids de l''unité:	330 mg

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Attributs sélectionnés: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

Filtrer les documents:

Fiche technique

R8002CND3FRATL Fiche technique

Specification Sheets

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance automobile à canal N R800xxND3FRA

Les MOSFET de puissance automobile à canal N R800xxND3FRA de ROHM Semiconductor sont des MOSFET à faible résistance à l'état passant avec des circuits de pilotage simples. Ces MOSFET disposent d'un retard de commutation rapide, d'un placage sans plomb et sont homologués AEC-Q101. Les MOSFET R800xxND3FRA sont disponibles en boîtiers DPAK (TO-252). Les MOSFET R800xxND3FRA de ROHM Semiconductor sont adaptés aux alimentations de commutation.