R8002KNXC7G

ROHM Semiconductor
755-R8002KNXC7G
R8002KNXC7G

Fab. :

Description :
MOSFET Transistor MOSFET, Nch 800V 2A 3rd Gen, Fast Switch

Modèle de ECAO:
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En stock: 951

Stock:
951 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
18 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
2,37 € 2,37 €
1,18 € 11,80 €
1,06 € 106,00 €
0,851 € 425,50 €
0,805 € 805,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
ROHM Semiconductor
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220FM-3
N-Channel
1 Channel
800 V
1.6 A
4.2 Ohms
- 20 V, 20 V
4.5 V
7.5 nC
- 55 C
+ 150 C
28 W
Enhancement
Tube
Marque: ROHM Semiconductor
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: CN
Temps de descente: 100 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 16 ns
Nombre de pièces de l'usine: 1000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 34 ns
Délai d'activation standard: 15 ns
Raccourcis pour l'article N°: R8002KNX
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET de puissance 800 V 1,6 A à canal N R8002KN

Les MOSFET de puissance 800 V 1,6 A à canal N R8002KN de ROHM Semiconductor sont des composants à faible résistance à l'état passant avec commutation rapide. Le R8002KN dispose d'un placage sans plomb et est conforme à la directive RoHS. Les MOSFET ont une utilisation parallèle qui est facile à utiliser.