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RD3L08DBKHRBTL

Name: ROHM Semiconductor RD3L08DBKHRBTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3L08DBKHRBTL
Price: 2 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-RD3L08DBKHRBTL

N° de fab. :

RD3L08DBKHRBTL

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET TO252 N-CH 60V 80A

Cycle de vie:

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Fiche technique:

RD3L08DBKHRBTL Fiche technique

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-252-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	80 A
Rds On - Résistance drain-source:	7.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	22 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	76 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	11 ns
Transconductance directe - min.:	12 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	15 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	50 ns
Délai d'activation standard:	18 ns

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CAHTS:: 8541290000
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JPHTS:: 854129000
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ECCN:: EAR99

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