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RD3N03BATTL1

Name: ROHM Semiconductor RD3N03BATTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3N03BATTL1
Price: 1.93 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-RD3N03BATTL1

N° de fab. :

RD3N03BATTL1

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET TO252 P-CH 80V 30A

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

RD3N03BATTL1 Fiche technique

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,93 €	1,93 €
	1,24 €	12,40 €
	0,841 €	84,10 €
	0,672 €	336,00 €
	0,636 €	636,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,605 €	1 512,50 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-252-3
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	30 A
Rds On - Résistance drain-source:	64 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	50 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	54 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	69 ns
Transconductance directe - min.:	13.4 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	15 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	225 ns
Délai d'activation standard:	15 ns

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Fiche technique

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Canal double à petit signal MOSFET

Les MOSFET à canal double à petit signal ROHM Semiconductor présentent une faible résistance et une commutation rapide. Ces MOSFET sont conforme à la directive RoHS et incluent un placage sans Pb. Les MOSFET à canal double fonctionnent sur une plage de température de -55 °C à 150 °C. Ces MOSFET sont utilisés dans les entraînements à moteur et les applications de commutation.