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RGSX5TS65EGC11

Name: ROHM Semiconductor RGSX5TS65EGC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGSX5TS65EGC11
Price: 4.63 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-RGSX5TS65EGC11

N° de fab. :

RGSX5TS65EGC11

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

RGSX5TS65EGC11 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	4,63 €	4,63 €
	4,34 €	43,40 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247N-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	2.15 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	30 V
Courant collecteur continu de 25 C:	114 A
Pd - Dissipation d’énergie :	404 W
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Conditionnement:	Tube
Marque:	ROHM Semiconductor
Courant de fuite gâchette-émetteur:	200 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	450
Sous-catégorie:	IGBTs
Raccourcis pour l'article N°:	RGSX5TS65E

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Fiche technique

RGSX5TS65EGC11 Fiche technique (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-10-15 (PDF)

Specification Sheets

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IGBT à tranchée et arrêt de champ 75 A 650 V RGSX5TS65

Les IGBT à tranchée et arrêt de champ 75 A 650 V RGSX5TS65 de ROHM Semiconductor disposent d'une faible tension de saturation collecteur-émetteur. Le RGSX5TS65 dispose d'un temps de tenue aux courts-circuits de 8 μs. Il est qualifié AEC-Q101 et dispose d'un placage de fil sans Pb.