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RJ1G10BBGTL1

Name: ROHM Semiconductor RJ1G10BBGTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RJ1G10BBGTL1
Price: 5.53 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-RJ1G10BBGTL1

N° de fab. :

RJ1G10BBGTL1

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET Nch 40V 280A, TO-263AB, Power MOSFET

Cycle de vie:

Nouveau produit:

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Fiche technique:

RJ1G10BBGTL1 Fiche technique

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	5,53 €	5,53 €
	4,23 €	42,30 €
	3,42 €	342,00 €
	3,04 €	1 520,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 800)
	2,61 €	2 088,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-263AB-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	280 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.43 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	210 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	192 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	340 ns
Transconductance directe - min.:	70 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	64 ns
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	280ns
Délai d'activation standard:	49 ns

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Fiche technique

RJ1G10BBGTL1 Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

MOSFET de puissance RJ1x10BBG

Les MOSFET de puissance ROHM Semiconductor RJ1x10BBG sont des MOSFET de puissance à canal N présentant une faible résistance à l'état passant et un boîtier à haute puissance. Les MOSFET de puissance RJ1G10BBG et RJ1L10BBG ont, respectivement, une tension drain-source de 40 V et 60 V, un courant de drain continu de ±280 A et ±240 A, et une dissipation d'énergie de 192 W. Les MOSFET de puissance RJ1x10BBG sont conformes à la directive RoHS. Ces MOSFET de puissance ont un placage sans plomb, sont sans halogène et testés 100 % Rg et UIS. Les MOSFET de puissance RJ1x10BBG fonctionnent dans une plage de température comprise entre -55°C et 150°C. Les applications typiques comprennent la commutation, les entraînements à moteur et les convertisseurs CC/CC.