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RQ7G080ATTCR

Name: ROHM Semiconductor RQ7G080ATTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ7G080ATTCR
Price: 1.03 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-RQ7G080ATTCR

N° de fab. :

RQ7G080ATTCR

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -8.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

Fiche technique:

RQ7G080ATTCR Fiche technique

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-,-- €

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-,-- €

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,03 €	1,03 €
	0,826 €	8,26 €
	0,587 €	58,70 €
	0,485 €	242,50 €
	0,46 €	460,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,407 €	1 221,00 €
	0,39 €	2 340,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TSMT-8
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	8 A
Rds On - Résistance drain-source:	18.2 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	37 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.5 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	105 ns
Transconductance directe - min.:	11 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	42 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P - Channel
Délai de désactivation type:	145 ns
Délai d'activation standard:	12 ns
Raccourcis pour l'article N°:	RQ7G080AT
Poids de l''unité:	10 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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