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RS6E122BGTB1

Name: ROHM Semiconductor RS6E122BGTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RS6E122BGTB1
Price: 2.45 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-RS6E122BGTB1

N° de fab. :

RS6E122BGTB1

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET HSOP8 N-CH 30V 155A

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

RS6E122BGTB1 Fiche technique

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	2,45 €	2,45 €
	1,59 €	15,90 €
	1,10 €	110,00 €
	0,903 €	451,50 €
	0,869 €	869,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,839 €	2 097,50 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	HSOP-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	155 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.16 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	50 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	89 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	40 ns
Transconductance directe - min.:	55 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	19 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Délai de désactivation type:	66 ns
Délai d'activation standard:	31 ns

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Canal double à petit signal MOSFET

Les MOSFET à canal double à petit signal ROHM Semiconductor présentent une faible résistance et une commutation rapide. Ces MOSFET sont conforme à la directive RoHS et incluent un placage sans Pb. Les MOSFET à canal double fonctionnent sur une plage de température de -55 °C à 150 °C. Ces MOSFET sont utilisés dans les entraînements à moteur et les applications de commutation.