Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

SBR1045SD1-T

Name: Diodes Incorporated SBR1045SD1-T
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-SBR1045SD1-T
Price: 0.62 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

621-SBR1045SD1-T

N° de fab. :

SBR1045SD1-T

Fab. :

Diodes Incorporated

Description :

Diodes et redresseurs Schottky 10A SBR 45V VRRM 32V Vr 10A 180 IFSM

Fiche technique:

SBR1045SD1-T Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Diodes Incorporated SBR1045SD1-T

En stock: 3 206

Stock:: 3 206 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 12 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	0,628 €	0,63 €
	0,461 €	4,61 €
	0,373 €	37,30 €
	0,289 €	144,50 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1200)
	0,215 €	258,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Diodes Incorporated
Catégorie du produit:	Diodes et redresseurs Schottky
RoHS:
REACH - SVHC:
Produit:	Schottky Rectifiers
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	DO-201AD-2
Configuration:	Single
Technologie:	Si
If - Courant direct:	10 A
Vrrm - Tension inverse répétitive:	45 V
Vf - Tension directe:	500 mV
Ifsm - Courant de surtension direct:	180 A
Ir - Courant inverse:	50 uA
Température de fonctionnement min.:	- 65 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	SBR1045
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Diodes Incorporated
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Type de produit:	Schottky Diodes & Rectifiers
Nombre de pièces de l'usine:	1200
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tension inverse:	32 V
Poids de l''unité:	1,200 g

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

SBR1045SD1-T Fiche technique (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Automotive Super Barrier Rectifiers

Diodes Incorporated Automotive Super Barrier Rectifiers (SBR) are designed with patented Super Barrier Technology that provides superior avalanche capability. These Diodes Incorporated SBR rectifiers offer low forward voltage drop and are ideal for automotive applications. The automotive SBR diodes have a lead-free finish while qualified to the AEC-Q101 standard that delivers high reliability. These SBR rectifiers are available in 1A to 30A forward current range and 500mV to 0.7V forward voltage range.

SBR® Super Barrier Rectifiers

Diodes Inc SBR^® Super Barrier Rectifiers use a MOS manufacturing process to create a superior two-terminal device with a lower forward voltage than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes. SBR Diodes are designed for high power, low loss and fast switching applications. The presence of a MOS channel within its structure forms a low potential barrier for the majority carriers. That means SBR forward bias operation at low voltage is similar to a Schottky diode. The leakage current is lower than Schottky Diode in reverse bias due to the overlap of the P-N depletion layers and the absence of potential barrier reduction due to the image charge.