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SCS210KE2HRC11

Name: ROHM Semiconductor SCS210KE2HRC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCS210KE2HRC11
Price: 9.5 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-SCS210KE2HRC11

N° de fab. :

SCS210KE2HRC11

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

Diodes Schottky SiC AECQ

Fiche technique:

SCS210KE2HRC11 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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	5,50 €	55,00 €
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	4,83 €	2 173,50 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	Diodes Schottky SiC
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247N-3
Configuration:	Dual
If - Courant direct:	10 A
Vrrm - Tension inverse répétitive:	1.2 kV
Vf - Tension directe:	1.6 V
Ifsm - Courant de surtension direct:	45 A
Ir - Courant inverse:	100 uA
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Tube
Marque:	ROHM Semiconductor
Pd - Dissipation d’énergie :	160 W
Type de produit:	SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine:	450
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tension inverse:	1.2 kV
Raccourcis pour l'article N°:	SCS210KE2HR

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Fiche technique

SCS210KE2HRC11 Fiche technique (PDF)

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TARIC:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

Diodes à barrière de Schottky SiC AEC-Q101

Les diodes à barrière de Schottky SiC AEC-Q101 de ROHM Semiconductor fournissent des tensions de claquage à partir de 600 V, ce qui dépasse de loin la limite supérieure pour les SBD au silicium. Les diodes AEC-Q101 utilisent la SiC, ce qui les rend idéales pour les circuits PFC et les convertisseurs. De plus, la commutation à haute vitesse est activée avec un temps de récupération inverse ultra-réduit. Cela minimise la charge de récupération inverse et la perte de commutation, contribuant ainsi à la miniaturisation du produit final. Les diodes à barrière de Schottky SiC AEC-Q101 offrent une plage de tension inverse de 650 à 1200 V, une plage de courant direct continu de 1,2 A à 260 µA et une plage de dissipation de puissance totale comprise entre 48 et 280 W.µ Ces composants sont disponibles en boîtiers TO-247 et TO-263, avec une température maximale de +175 °C.