SI7315DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SI7315DN-T1-GE3
SI7315DN-T1-GE3

Fab. :

Description :
MOSFET -150V Vds 30V Vgs PowerPAK 1212-8

Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
0

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5 944
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Délai usine :
43
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Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
1,55 € 1,55 €
1,03 € 10,30 €
0,688 € 68,80 €
0,564 € 282,00 €
0,494 € 494,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
0,454 € 1 362,00 €
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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Vishay
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
P-Channel
1 Channel
150 V
8.9 A
315 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
19.5 nC
- 50 C
+ 150 C
52 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Vishay Semiconductors
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: IL
Temps de descente: 8 ns
Transconductance directe - min.: 10 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 9 ns
Série: SI7
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 P-Channel
Délai de désactivation type: 23 ns
Délai d'activation standard: 8 ns
Poids de l''unité: 1 g
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET de puissance TrenchFET® SI73

Les MOSFET de puissance TrenchFET® SI73 de Vishay Semiconductors sont disponibles en nouveau boîtier PowerPAK® à faible résistance thermique avec un profil 1,07 mm. Les MOSFET de puissance TrenchFET® sont testés 100 % Rg/UIS et sans halogène. Ces MOSFET de puissance SI73 sont idéalement utilisés dans les convertisseurs CC-CC.