Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

SIA911ADJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA911ADJ-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SIA911ADJ-GE3
Price: 0.69 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

781-SIA911ADJ-GE3

N° de fab. :

SIA911ADJ-T1-GE3

Fab. :

Vishay Semiconductors

Description :

MOSFET 20V 4.5A 6.5W

Fiche technique:

SIA911ADJ-T1-GE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Vishay Semiconductors SIA911ADJ-T1-GE3

En stock: 3 631

Stock:: 3 631 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,697 €	0,70 €
	0,433 €	4,33 €
	0,281 €	28,10 €
	0,215 €	107,50 €
	0,194 €	194,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,165 €	495,00 €
	0,152 €	912,00 €
	0,148 €	1 332,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SC-70-6
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	4.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	205 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1 V
Qg - Charge de grille:	13 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	6.5 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	TrenchFET, PowerPAK
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Dual
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Type de produit:	MOSFETs
Série:	SIA
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Raccourcis pour l'article N°:	SIA911ADJ-GE3
Poids de l''unité:	28 mg

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

SIA911ADJ-T1-GE3 Fiche technique

Models

PCN

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

PowerPAK SC-70 MOSFETs

Vishay Semiconductors PowerPAK® SC-70 MOSFET combines the tiny footprint of the SC-70 package with on-resistance comparable to the larger TSOP-6, resulting in very low power consumption in a package 50% smaller than the TSOP-6 and 27% thinner. The Vishay Semiconductor PowerPAK SC-70 MOSFET comes in a variety of configurations and voltage ratings for different applications, including single, single plus Schottky, and dual devices, in both n-channel and p-channel, in addition to n- and p-channel complementary pairs. The PowerPAK SC-70 MOSFET features voltage ranges between 8V and 30V with extremely low on-resistance values down to 0.011Ω at 4.5V.