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SIDR608EP-T1-RE3

Name: Vishay SIDR608EP-T1-RE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIDR608EP-T1-RE3
Price: 2.75 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

78-SIDR608EP-T1-RE3

N° de fab. :

SIDR608EP-T1-RE3

Fab. :

Vishay Semiconductors

Description :

MOSFET N-CHANNEL 45-V (D-S) 175C MOSFET

Fiche technique:

SIDR608EP-T1-RE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,75 €	2,75 €
	1,88 €	18,80 €
	1,31 €	131,00 €
	1,13 €	565,00 €
	1,08 €	1 080,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,952 €	2 856,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK SO-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	228 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.36 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 16 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.3 V
Qg - Charge de grille:	167 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	125 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Single
Temps de descente:	25 ns
Transconductance directe - min.:	120 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	86 ns
Série:	SIDR
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	50 ns
Délai d'activation standard:	52 ns

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Fiche technique

SIDR608EP-T1-RE3 Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET (D-S) 30-45 V à canal N

Les MOSFET (D-S) 30-45 V à canal N de Vishay sont des MOSFET de puissance TrenchFET® Gen IV avec une très faible valeur de mérite (FOM) RDS Qg. Ces composants sont réglés pour le moindre FOM RDS - Qoss avec une fonction de refroidissement côté haut qui fournit un lieu supplémentaire pour les transferts thermiques. Les MOSFET sont 100 % testés Rg and UIS.