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SIR4606DP-T1-GE3

Name: Vishay SIR4606DP-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIR4606DP-T1-GE3
Price: 1.55 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

78-SIR4606DP-T1-GE3

N° de fab. :

SIR4606DP-T1-GE3

Fab. :

Vishay Semiconductors

Description :

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET

Fiche technique:

SIR4606DP-T1-GE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,55 €	1,55 €
	0,989 €	9,89 €
	0,66 €	66,00 €
	0,522 €	261,00 €
	0,477 €	477,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,452 €	1 356,00 €
	0,415 €	2 490,00 €
	0,406 €	9 744,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK SO-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	40 A
Rds On - Résistance drain-source:	4.9 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.4 V
Qg - Charge de grille:	54 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	48 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Single
Temps de descente:	12 ns
Transconductance directe - min.:	60 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	9 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	28 ns
Délai d'activation standard:	25 ns

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET (D-S) 30-45 V à canal N

Les MOSFET (D-S) 30-45 V à canal N de Vishay sont des MOSFET de puissance TrenchFET® Gen IV avec une très faible valeur de mérite (FOM) RDS Qg. Ces composants sont réglés pour le moindre FOM RDS - Qoss avec une fonction de refroidissement côté haut qui fournit un lieu supplémentaire pour les transferts thermiques. Les MOSFET sont 100 % testés Rg and UIS.