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SIR5607DP-T1-RE3

Name: Vishay SIR5607DP-T1-RE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIR5607DP-T1-RE3
Price: 2.86 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

78-SIR5607DP-T1-RE3

N° de fab. :

SIR5607DP-T1-RE3

Fab. :

Vishay / Siliconix

Description :

MOSFET P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET

Fiche technique:

SIR5607DP-T1-RE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,86 €	2,86 €
	1,90 €	19,00 €
	1,38 €	138,00 €
	1,21 €	605,00 €
	1,20 €	1 200,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	1,03 €	3 090,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SO-8
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	90.9 A
Rds On - Résistance drain-source:	7 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.6 V
Qg - Charge de grille:	31.7 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	104 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay / Siliconix
Configuration:	Single
Temps de descente:	20 ns
Transconductance directe - min.:	52 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	320 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	30 ns
Délai d'activation standard:	45 ns

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Fiche technique

SIR5607DP-T1-RE3 Fiche technique

PCN

Product Change Notification 2024-11-01 (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET Gen V TrenchFET® à canal N SiSS52DN et SiSS54DN

Le MOSFET de puissance Gen V TrenchFET à canal N SiSS52DN et SiSS54DN Vishay/Siliconix permet une densité de puissance plus élevée avec une R_{DS (on) très faible.} Ce MOSFET de puissance offre un V_DS de 30 V et un très faible facteur de mérite (FOM) RDS x Q_g. Le MOSFET à canal N SiSS52DN présente généralement un I_D de 162 A et un Q_{g de 19,9 nC.}Alors que le MOSFET à canal N SiSS54DN présente généralement un I_D de 185,6 A et un Q_{g de 21 nC}.Ce MOSFET testé à commutation inductive non serrée (UIS) R_g 100 % est fourni dans un boîtier PowerPAK^® 1212-8S compact amélioré thermiquement avec une configuration unique. Les applications standard incluent les convertisseurs CC/CC, les points de charge (POL), le redressement synchrone, les commutateurs d’alimentation et de charge et la gestion de batterie.