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SIR632DP-T1-RE3

Name: Vishay SIR632DP-T1-RE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIR632DP-T1-RE3
Price: 1.66 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

78-SIR632DP-T1-RE3

N° de fab. :

SIR632DP-T1-RE3

Fab. :

Vishay Semiconductors

Description :

MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Fiche technique:

SIR632DP-T1-RE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	0,515 €	515,00 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK-SO-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	150 V
Id - Courant continu de fuite:	29 A
Rds On - Résistance drain-source:	28.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	21 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	69.5 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	TrenchFET, PowerPAK
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Single
Temps de descente:	21 ns
Transconductance directe - min.:	18 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	27 ns
Série:	SIR
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	9 ns
Délai d'activation standard:	9 ns
Poids de l''unité:	506,600 mg

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Fiche technique

SIR632DP-T1-RE3 Fiche technique

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Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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