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SISF04DN-T1-GE3

Name: Vishay SISF04DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SISF04DN-T1-GE3
Price: 1.72 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

78-SISF04DN-T1-GE3

N° de fab. :

SISF04DN-T1-GE3

Fab. :

Vishay Semiconductors

Description :

MOSFET N-CHANNEL 30V(S1-S2) PowerPAK 1212-8F

Fiche technique:

SISF04DN-T1-GE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,72 €	1,72 €
	1,09 €	10,90 €
	0,73 €	73,00 €
	0,599 €	299,50 €
	0,524 €	524,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,503 €	1 509,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK-1212-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	108 A
Rds On - Résistance drain-source:	4 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 12 V, 16 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.3 V
Qg - Charge de grille:	40 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	69.4 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	TrenchFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Dual
Temps de descente:	6 ns
Transconductance directe - min.:	115 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	21 ns
Série:	SISF
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Délai de désactivation type:	30 ns
Délai d'activation standard:	12 ns
Poids de l''unité:	1 g

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Fiche technique

SISF04DN-T1-GE3 Fiche technique

Application Notes

PCN

Product Change Notification (PDF)

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Integrated MOSFETs with Common Drain

Vishay Integrated MOSFETs with Common Drain are 1, 2, and 3-channels offering surface mounting. The Integrated MOSFETs feature N-channel, and N+P-channel options, as well as a breakdown voltage range of 20V to 200V. The Enhancement Mode MOSFETs have 6 or 8-pins, a power dissipation range of 1.5W to 69.4W, and on drain-source resistance of 2.15mΩ to 26mΩ.