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SISS52DN-T1-GE3

Name: Vishay SISS52DN-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SISS52DN-T1-GE3
Price: 1.35 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

78-SISS52DN-T1-GE3

N° de fab. :

SISS52DN-T1-GE3

Fab. :

Vishay / Siliconix

Description :

MOSFET PPAK1212 N-CH 30V 47.1A

Fiche technique:

SISS52DN-T1-GE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,35 €	1,35 €
	0,853 €	8,53 €
	0,577 €	57,70 €
	0,455 €	227,50 €
	0,414 €	414,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,381 €	1 143,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK1212-8S
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	162 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.2 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 12 V, 16 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.2 V
Qg - Charge de grille:	65 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	57 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	TrenchFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay / Siliconix
Temps de descente:	6 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	6 ns
Série:	SISS
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N - Channel
Délai de désactivation type:	26 ns
Délai d'activation standard:	12 ns

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET Gen V TrenchFET® à canal N SiSS52DN et SiSS54DN

Le MOSFET de puissance Gen V TrenchFET à canal N SiSS52DN et SiSS54DN Vishay/Siliconix permet une densité de puissance plus élevée avec une R_{DS (on) très faible.} Ce MOSFET de puissance offre un V_DS de 30 V et un très faible facteur de mérite (FOM) RDS x Q_g. Le MOSFET à canal N SiSS52DN présente généralement un I_D de 162 A et un Q_{g de 19,9 nC.}Alors que le MOSFET à canal N SiSS54DN présente généralement un I_D de 185,6 A et un Q_{g de 21 nC}.Ce MOSFET testé à commutation inductive non serrée (UIS) R_g 100 % est fourni dans un boîtier PowerPAK^® 1212-8S compact amélioré thermiquement avec une configuration unique. Les applications standard incluent les convertisseurs CC/CC, les points de charge (POL), le redressement synchrone, les commutateurs d’alimentation et de charge et la gestion de batterie.

MOSFET de puissance TrenchFET Gen V avec VDS

Les MOSFET de puissance TrenchFET^® Gen V Vishay/Siliconix augmentent le rendement de conversion de puissance avec un facteur de mérite (FOM) R_DS x Q_g très faible. Les MOSFET de puissance Gen V disposent d’options de tension de claquage drain-source de 80 V, 100 V et 150 V. Les MOSFET de puissance Gen V sont disponibles en boîtier unique PowerPAK^® 1212-8SH ou PowerPAK SO-8.