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SQJ500AEP-T1_GE3

Name: Vishay SQJ500AEP-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQJ500AEP-T1_GE3
Price: 1.85 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

78-SQJ500AEP-T1_GE3

N° de fab. :

SQJ500AEP-T1_GE3

Fab. :

Vishay / Siliconix

Description :

MOSFET N and P Channel 40V AEC-Q101 Qualified

Fiche technique:

SQJ500AEP-T1_GE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,85 €	1,85 €
	1,19 €	11,90 €
	0,803 €	80,30 €
	0,64 €	320,00 €
	0,60 €	600,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,52 €	1 560,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

SQJ500AEP-T1_BE3

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

1,85 €

Min.:

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Fab. :

Vishay / Siliconix

N° de fab. :

SQJ500AEP-T1_BE3

Description :

MOSFET N and P CH 40V (D-S)

Comparer avec la pièce actuelle

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK-SO-8-4
Polarité du transistor:	N-Channel, P-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	30 A
Rds On - Résistance drain-source:	7.7 mOhms, 22 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	38.3 nC, 45 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	48 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Nom commercial:	TrenchFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay / Siliconix
Configuration:	Dual
Temps de descente:	10 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	12 ns
Série:	SQJ
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Délai de désactivation type:	22 ns
Délai d'activation standard:	8 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SQJ500AEP-T1_BE3
Poids de l''unité:	506,600 mg

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Attributs sélectionnés: 0

                        
The BE3 suffix version of this part number is the exact form, fit, and 
function of this part number.  The only difference is the country of 
origin. The BE3 suffix part number typically has a shorter lead-time 
if not already in stock at Mouser. 
Please contact a Mouser Technical Service Representative for 
further assistance 
5-0321-7

Filtrer les documents:

Fiche technique

SQJ500AEP-T1_GE3 Fiche technique

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET automobiles SQJ

Les MOSFET^®automobiles SQJ Vishay/Siliconix sont des MOSFET de puissance 40 V_DS à canal N TrenchFET Gen IV. Ces MOSFET homologués AEC-Q101 sont testés à 100% R_g et commutation inductive non limitée (UIS) avec un rapport Q_gd/Q_gs de moins de 1 qui optimise les caractéristiques de commutation. Les MOSFET automobiles SQJ offrent une très faible R_DS(on) et fonctionnent dans une plage de température comprise entre -55°C et 175°C.Ces MOSFET de classe automobile sont disponibles en boîtier PowerPAK^® SO-8L avec des configurations simples/doubles. Les applications standard incluent l'automobile, la gestion des moteurs, les entraînements et actionneurs de moteurs et la gestion des batteries.