SQUN702E-T1_GE3

Vishay Semiconductors
78-SQUN702E-T1_GE3
SQUN702E-T1_GE3

Fab. :

Description :
MOSFET 40-V N- & P-CH COMMON DRAIN + 200-V

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
Non stocké
Délai usine :
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ †
3,74 € 3,74 €
2,80 € 28,00 €
2,43 € 243,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)
2,06 € 4 120,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Vishay
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
Triple die
N-Channel, P-Channel
3 Channel
40 V, 200 V
20 A, 30 A
9.2 mOhms, 30 mOhms, 60 mOhms
- 25 V, 25 V
1.5 V, 2.5 V
14 nC, 23 nC, 30.2 nC
- 55 C
+ 175 C
48 W, 60 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Vishay Semiconductors
Configuration: Triple
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: DE
Temps de descente: 2 ns, 10 ns, 19 ns
Transconductance directe - min.: 16 S, 19 S, 65 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 3 ns, 9 ns, 12 ns
Série: SQUN
Nombre de pièces de l'usine: 2000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 2 N-Channel, 1 P-Channel
Délai de désactivation type: 15 ns, 22 ns, 43 ns
Délai d'activation standard: 7 ns, 8 ns, 10 ns
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Solutions MOSFET intégrées

Les solutions MOSFET intégrées de Vishay combinent les composants dans une seule puce monolithique pour augmenter la densité de puissance, augmenter le rendement, simplifier la conception et réduire les coûts de nomenclature (BoM). Ces MOSFET à puce simple et multiple intègrent des caractéristiques telles que des diodes à barrière de Schottky et une protection DES. Ces MOSFET disposent de technologies TrenchFET® à canal N et P à faible résistance à l'état passant et d'une faible résistance thermique. 

Integrated MOSFETs with Common Drain

Vishay Integrated MOSFETs with Common Drain are 1, 2, and 3-channels offering surface mounting. The Integrated MOSFETs feature N-channel, and N+P-channel options, as well as a breakdown voltage range of 20V to 200V. The Enhancement Mode MOSFETs have 6 or 8-pins, a power dissipation range of 1.5W to 69.4W, and on drain-source resistance of 2.15mΩ to 26mΩ.

N- & P-Channel Pair Thermally Enhanced MOSFETs

Vishay N- and P-Channel Pair Thermally Enhanced MOSFETs combine the N-channel and P-channel MOSFET pairs into one package. These Vishay N- and P-Channel MOSFETs are designed to minimize the ON-state Resistance (RDS(on)) while maintaining superior switching performance. In addition, combining both the N-channel and P-channel MOSFETs into a single IC saves PCB space and simplifies application design. 

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