SSM3K324R,LF

Toshiba
757-SSM3K324RLF
SSM3K324R,LF

Fab. :

Description :
MOSFET N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF

Modèle de ECAO:
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En stock: 25 968

Stock:
25 968 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
26 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
0,327 € 0,33 €
0,20 € 2,00 €
0,127 € 12,70 €
0,095 € 47,50 €
0,084 € 84,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
0,07 € 210,00 €
0,063 € 378,00 €
0,053 € 477,00 €
0,046 € 1 104,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Toshiba
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
N-Channel
1 Channel
U-MOSVII-H
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Toshiba
Configuration: Single
Type de produit: MOSFETs
Série: SSM3K324
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Poids de l''unité: 11 mg
Produits trouvés:
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low RDS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

Solutions SSD (Solid State Drive) discrètes

Les solutions SSD (Solid State Drive) discrètes de Toshiba disposent d'une large gamme de produits qui satisfait les dernières exigences avec les TVS, les diodes à barrière de Schottky (SBD), les LDO, les CI de commutateurs de charge et le nouveau CI de fusible électronique puissant. Ces SSD peuvent analyser les données plus rapidement qu'un disque dur traditionnel (HDD). À mesure que la technologie SSD s'améliore, elle nécessitera un circuit d'alimentation qui répond à des demandes d'alimentation de plus en plus strictes, ainsi qu'une protection qui préserve les données importantes de toute défaillance. Toshiba offre une large gamme de commutateurs de charge et de MOSFET pour contrôler les entrées d'alimentation, les CI de protection et les diodes conçues pour gérer les conditions d'alimentation d'entrée anormales et les surtensions pendant la connexion à chaud.

U-MOSVII-H MOSFETs

Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are logic-level gate drive and low-voltage gate drive devices offered in both single-channel and dual-channel variants. These devices have a drain-source voltage range of 12V to 60V and a continuous drain current range from 0.15m to 9.0A. Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are offered in a wide range of compact, surface-mounted package types, making them ideal for high-density applications.