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SSM6J511NU,LF

Name: Toshiba SSM6J511NU,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM6J511NULF
Price: 0.53 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

757-SSM6J511NULF

N° de fab. :

SSM6J511NU,LF

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET Small-signal MOSFET Power MGMT switch

Fiche technique:

SSM6J511NU,LF Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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-,-- €

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

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MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,533 €	0,53 €
	0,329 €	3,29 €
	0,211 €	21,10 €
	0,159 €	79,50 €
	0,142 €	142,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,117 €	351,00 €
	0,107 €	642,00 €
	0,092 €	828,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	UDFN-6
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	12 V
Id - Courant continu de fuite:	14 A
Rds On - Résistance drain-source:	6.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1 V
Qg - Charge de grille:	47 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.25 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	U-MOSVII
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Toshiba
Configuration:	Single
Transconductance directe - min.:	27 S
Type de produit:	MOSFETs
Série:	SSM6J511
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Poids de l''unité:	8,500 mg

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Fiche technique

SSM6J511NU,LF Fiche technique (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

U-MOSVII MOSFETs

Toshiba U-MOSVII MOSFETs are single and dual P-channel MOSFETs with low voltage gate drive and low drain-source on-resistance. These Toshiba devices have a drain-source voltage range of -12V to -20V and a continuous drain current range from -1A to +14A. The U-MOSVII MOSFETs are offered in a wide range of package types for design flexibility.

Semi Power MOSFETs

Toshiba Semi Power MOSFETs are designed with advanced technologies, achieving low R_ON characteristics. The Semi Power MOSFETs are very compact and thin at 2 x 2mm and 2.9 x 2.8mm, offering the low loss and compact size MOSFETs required for battery-powered devices such as smartphones and wearable devices.