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STGWA50M65DF2

Name: STMicroelectronics STGWA50M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA50M65DF2
Price: 4.91 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STGWA50M65DF2

N° de fab. :

STGWA50M65DF2

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads

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Fiche technique:

STGWA50M65DF2 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.65 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	80 A
Pd - Dissipation d’énergie :	375 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	HB2
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Courant de collecteur continu Ic max.:	80 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	250 uA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	6 g

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Fiche technique

STGWA50M65DF2 Fiche technique (PDF)

PCN

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

650V IH Series IGBTs

STMicroelectronics 650V IH Series IGBTs offer high efficiency for induction heating systems and soft switching applications. The STMicroelectronics IGBTs belong to the STPOWER™ family that exceeds the HB series, currently used for induction heating applications. The 650V IH series ensures increased efficiency in final applications thanks to a lower V_CE(sat) combined with very low turn-off energy. 40A and 50A devices are already available in TO-247 Long Leads packages, and 20A and 30A devices are being developed.

PRODUITS PRÉSENTÉS

STMICROELECTRONICS

IGBT série IH2 1 600 V STGWA30IH160DF2

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IGBT de qualité automobile STGWA30M65DF2AG

Conçu à l'aide d'une structure propriétaire avancée d'arrêt de champ à grille en tranchée.

IGBT de série MS de classe automobile GWA40MS120DF4AG

Les modèles de 1 200 V, 40 A, à faibles pertes, offrent une faible résistance thermique et sont fournis dans un boîtier TO-247 à broches longues.

En stock: 390

Stock:: 390 Expédition possible immédiatement

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Délai usine :: 22 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	4,91 €	4,91 €
	2,77 €	27,70 €
	2,30 €	230,00 €
	2,25 €	1 350,00 €
	2,00 €	2 400,00 €

STGWA50M65DF2

Fab. : STMicroelectronics

Description : IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads Complétez votre conception

Caractéristiques

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650V IH Series IGBTs

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