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TK170V65Z,LQ

Name: Toshiba TK170V65Z,LQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK170V65ZLQ
Price: 4.03 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

757-TK170V65ZLQ

N° de fab. :

TK170V65Z,LQ

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET MOSFET 650V 170mOhms DTMOS-VI

Fiche technique:

TK170V65Z,LQ Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	4,03 €	4,03 €
	2,73 €	27,30 €
	2,22 €	222,00 €
	2,16 €	1 080,00 €
	1,96 €	1 960,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	1,83 €	4 575,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	18 A
Rds On - Résistance drain-source:	170 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	29 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	150 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Toshiba
Configuration:	Single
Temps de descente:	4 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	16 ns
Série:	DTMOS VI
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	70 ns
Délai d'activation standard:	37 ns

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET à super-jonction DTMOS-VI 650 V

Les MOSFET à super-jonction DTMOS-VI 650 V de Toshiba sont conçus pour fonctionner dans les alimentations de commutation. Ces MOSFET à canal N disposent de propriétés de commutation à haute vitesse avec une capacité plus faible. Les MOSFET à super-jonction DTMOS-VI 650 V offrent une faible résistance à l'état passant de source de drain standard de 0,092 Ω à 0,175 Ω. Ces composants disposent d'une tension drain-source de 10 V.