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TQM025NH04CR RLG

Name: Taiwan Semiconductor TQM025NH04CR RLG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TQM025NH04CRRLG
Price: 2.31 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

821-TQM025NH04CRRLG

N° de fab. :

TQM025NH04CR RLG

Fab. :

Taiwan Semiconductor

Description :

MOSFET 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

Fiche technique:

TQM025NH04CR RLG Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,31 €	2,31 €
	1,62 €	16,20 €
	1,14 €	114,00 €
	0,946 €	473,00 €
	0,912 €	912,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,802 €	2 005,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Taiwan Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PDFN56U-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	174 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.6 V
Qg - Charge de grille:	42 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	136 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Nom commercial:	PerFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Taiwan Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	5.8 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	70.6 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	27 ns
Délai d'activation standard:	15.1 ns
Raccourcis pour l'article N°:	TQM025NH04CR
Poids de l''unité:	93,500 mg

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Fiche technique

TQM025NH04CR RLG Fiche technique

Models

TQM025NH04CR RLG Symbol & Footprint by SnapMagic

SPICE Models

Test/Quality Data

Material Declaration (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

TQMx Automotive Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor TQMx Automotive Power MOSFETs are designed by trench technology for single and dual channels. These P dual channels are compatible with conventional PDFN packages. These MOSFETs feature a flat lead package suitable for compact designs with good thermal performance and a Wettable Flank (WF) for Automated Optical Inspection (AOI). The Taiwan Semiconductor TQMx MOSFET family qualifies for the AEC-Q101 standards to meet the high-performance requirement for automotive applications. These power MOSFETs operate at -55°C to 175°C and are halogen-free according to IEC 61249-2-21. Typical applications include 12V automotive systems, solenoid and motor control, automotive transmission control, and DC-DC converters.

TQM0xNH04CR Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor TQM0xNH04CR Power MOSFETs are AEC-Q101-qualified single N-channel MOSFETs. These power MOSFETs offer excellent FOM and wettable flank leads for enhanced AOI. The N-channel power MOSFETs are 100% UIS and Rg tested and operate at 175°C junction temperature. These power MOSFETs feature 40V drain-source voltage and 400A pulse drain current and come in a PDFN56U package. The TQM0xNH04CR power MOSFETs are halogen-free and RoHS-compliant. Typical applications include automotive applications, solenoid and motor drivers, and DC-to-DC converters.

40V N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor 40V N-Channel Power MOSFETs are designed to operate on PerFET™ power transistor technology and operate at 40V Drain Source Voltage (V_DS). These MOSFETs feature ultra-low on-resistance and wettable flank leads for enhanced AOI. The N-Channel Power MOSFETs are halogen-free, RoHS compliant, and 100% UIS and Rg tested. Typical applications of N-channel power MOSFETs include DC-DC converters, load switches, solenoids, and motor drivers.