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UT6J3TCR1

Name: ROHM Semiconductor UT6J3TCR1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-UT6J3TCR1
Price: 1.01 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-UT6J3TCR1

N° de fab. :

UT6J3TCR1

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET DFN2020 2PCH 20V 3A

Fiche technique:

UT6J3TCR1 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,01 €	1,01 €
	0,543 €	5,43 €
	0,428 €	42,80 €
	0,383 €	191,50 €
	0,348 €	348,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,304 €	912,00 €
	0,282 €	1 692,00 €
	0,277 €	2 493,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-2020-8D
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	2 A
Rds On - Résistance drain-source:	85 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1 V
Qg - Charge de grille:	8.5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	2 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Dual
Temps de descente:	35 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	30 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	120 ns
Délai d'activation standard:	10 ns
Raccourcis pour l'article N°:	UT6J3

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Fiche technique

UT6J3TCR1 Fiche technique

Specification Sheets

Datasheet - Japanese

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance UT6J à canal P

Les MOSFET de puissance UT6J à canal P de Semiconductor se caractérisent par une faible résistance à l'état passant et sont logés dans un boîtier de petite taille à haute puissance. Le ROHM offre une large gamme de tensions allant des produits à signal faible aux produits haute tension 800 V. Ils peuvent être utilisés pour diverses applications telles que les alimentations électriques et les circuits d'entraînement moteur.