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XPJ1R004PB,LXHQ

Name: Toshiba XPJ1R004PB,LXHQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-XPJ1R004PBLXHQ
Price: 1.69 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

757-XPJ1R004PBLXHQ

N° de fab. :

XPJ1R004PB,LXHQ

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET S-TOGL N-CH 40V 160A

Fiche technique:

XPJ1R004PB,LXHQ Fiche technique (PDF)

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	0,92 €	460,00 €
	0,886 €	886,00 €
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	0,886 €	1 329,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Toshiba
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	JP
Type de produit:	MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance U-MOSIX-H automobiles

Les MOSFET de puissance U-MOSIX-H automobiles de Toshiba sont des MOSFET de puissance à canal N 40 V idéaux pour les applications automobiles. Ces composants sont logés dans un petit boîtier SOP Advance (WF) à faible résistance. Ils disposent d'une faible résistance à l'état passant, ce qui peut réduire la perte de conduction. La série U-MOSIX-H réduit également le bruit de commutation par rapport à la série précédente de Toshiba Electronic Devices et Storage Corporation (U-MOSIV).’

MOSFET N-Channel 40V/80V/100V L-TOGL et S-TOGL AEC-Q

Les MOSFETs N-Channel 40V/80V/100V Toshiba L-TOGL et S-TOGL, qualifiés AEC-Q101, offrent une résistance à l’état passant ultra-faible, un courant de drain élevé et une excellente dissipation thermique. Ceci est réalisé en combinant des boîtiers à forte dissipation thermique [L-TOGL (large empreinte de transistor avec pattes en forme d'aile en M) et S-TOGL (petite empreinte de transistor avec pattes en forme d'aile en M)] avec les processus de puce U-MOS IX-H et U-MOS X-H. Les MOSFET L-TOGL et S-TOGL de Toshiba offrent également une capacité de courant élevé et une forte dissipation thermique pour contribuer à améliorer la densité de puissance dans une large variété d'applications automobiles. Le boîtier L-TOGL est équivalent en taille au boîtier TO-220SM(W) existant. Cependant, le XPQR3004PB améliore considérablement le courant nominal et réduit de manière significative la résistance à l'état passant à 0,23 mΩ standard. L'empreinte optimisée du boîtier L-TOGLs contribue également à améliorer les caractéristiques thermiques par rapport au boîtier TO-220SM(W) de même taille.