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XSM6K336NW,LXHF

Name: Toshiba XSM6K336NW,LXHF
Brand: Toshiba
SKU: 757-XSM6K336NWLXHF
Price: 0.64 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

757-XSM6K336NWLXHF

N° de fab. :

XSM6K336NW,LXHF

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET N-ch MOSFET, 30 V, 3.0 A, 0.095 ohm at 10V, DFN2020B(WF)

Cycle de vie:

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Fiche technique:

XSM6K336NW,LXHF Fiche technique

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	0,18 €	180,00 €
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	0,152 €	456,00 €
	0,14 €	840,00 €
	0,132 €	1 188,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-6
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	3 A
Rds On - Résistance drain-source:	95 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	1.7 nC
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	3.3 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Toshiba
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	JP
Type de produit:	MOSFETs
Série:	U-MOSVIII-H
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	8 ns
Délai d'activation standard:	7 ns

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TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance U-MOSVIII-H automobiles

Les MOSFET de puissance U-MOSVIII-H automobiles de Toshiba sont des MOSFET de puissance à canal N 100 V idéaux pour les applications automobiles. Ils disposent d'une faible résistance à l'état passant avec une technologie propriétaire utilisant un connecteur Cu. Ils ont une plage de tension de seuil de grille étroite de 2,5 V à 3,5 V, ce qui réduit la tolérance du temps de commutation.