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XSM6K519NW,LXHF

Name: Toshiba XSM6K519NW,LXHF
Brand: Toshiba
SKU: 757-XSM6K519NWLXHF
Price: 0.85 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

757-XSM6K519NWLXHF

N° de fab. :

XSM6K519NW,LXHF

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF)

Cycle de vie:

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Fiche technique:

XSM6K519NW,LXHF Fiche technique

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	0,531 €	5,31 €
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	0,267 €	133,50 €
	0,249 €	249,00 €
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	0,21 €	630,00 €
	0,195 €	1 170,00 €
	0,194 €	1 746,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-6
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	8 A
Rds On - Résistance drain-source:	17.8 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	6.5 nC
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	4.3 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Toshiba
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	JP
Type de produit:	MOSFETs
Série:	U-MOSVIII-H
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	50 ns
Délai d'activation standard:	41 ns

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TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance U-MOSVIII-H automobiles

Les MOSFET de puissance U-MOSVIII-H automobiles de Toshiba sont des MOSFET de puissance à canal N 100 V idéaux pour les applications automobiles. Ils disposent d'une faible résistance à l'état passant avec une technologie propriétaire utilisant un connecteur Cu. Ils ont une plage de tension de seuil de grille étroite de 2,5 V à 3,5 V, ce qui réduit la tolérance du temps de commutation.