3N163 TO-72 4L RoHS

Linear Integrated Systems
722-3N163TO-724LROHS
3N163 TO-72 4L RoHS

Fab. :

Description :
MOSFET SINGLE, P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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Linear Integrated Systems
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-72-4
P-Channel
1 Channel
40 V
30 mA
250 Ohms
- 6.5 V, 6.5 V
5 V
350 mW, 375 mW
Enhancement
Bulk
Marque: Linear Integrated Systems
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: US
Transconductance directe - min.: 2 mS
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 24 ns
Série: 3N163
Nombre de pièces de l'usine: 500
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 P-Channel
Délai de désactivation type: 50 ns
Délai d'activation standard: 12 ns
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

Application Notes

Other

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

3N163 P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Linear Integrated Systems 3N163 P-Channel Enhancement Mode MOSFETs feature high input impedance, high gate breakdown, ultra-low leakage, and low capacitance. These MOSFETs offer -40V drain-source or drain-gate voltage, 50mA drain current, and 375mW (TO-72 case), and 350mW (SOT-143 case) power dissipation. The 3N163 P-Channel MOSFETs are available in the TO-72 RoHS, SOT-143 RoHS package, and as bare die. These MOSFETs are ideal for amplifier and switching applications.

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