Commutateurs de puissance GaN en mode amélioré NCP5892

Le commutateur de puissance GaN en mode amélioré NCP5892 d'onsemi intègre un pilote en silicium (Si) haute performance, haute fréquence et des transistors HEMT GaN (High-Electron-Mobility Transistors) de 650 V en nitrure de gallium dans une structure de commutateur unique. La puissante combinaison du pilote Si et du commutateur de puissance GaN HEMT offre des performances supérieures par rapport à la solution discrète GaN HEMT et au pilote externe. La mise en œuvre intégrée du NCP5892 d'onsemi réduit considérablement les parasites du circuit et du boîtier tout en permettant une conception plus compacte.

Résultats: 3
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Produit Type Style de montage Package/Boîte Nombre de sorties Tension d’alimentation - Min. Tension d’alimentation - Max. Temps de montée Temps de descente Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Série Conditionnement
onsemi Commandes de grilles SINGLE CHANNEL INTEGRATED DRIVER AND GAN POWER TRANSISTOR
2 99820/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Gate Drivers Single SMD/SMT TQFN-26 1 Output 9 V 18 V 9 ns 12 ns - 40 C + 150 C NCP58921 Reel, Cut Tape
onsemi Commandes de grilles SINGLE CHANNEL INTEGRATED DRIVER AND GAN POWER TRANSISTOR
3 00024/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Gate Drivers Single SMD/SMT TQFN-26 1 Output 9 V 18 V 8 ns 9 ns - 40 C + 150 C NCP58922 Reel, Cut Tape
onsemi Commandes de grilles SINGLE CHANNEL INTEGRATED DRIVER AND GAN POWER TRANSISTOR
3 00027/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Gate Drivers Single SMD/SMT TQFN-26 1 Output 9 V 18 V 6 ns 7 ns - 40 C + 150 C NCP58920 Reel, Cut Tape